عنوان مقاله ترجمه شده:مدارات مرجع با منبع 1.2ولت، 100نانووات، 1.09ولت بندگپ و منبع 0.7ولت، 52.5نانووات، 0.55ولت زیربندگپ برای LSIهای CMOS نانووات
عنوان انگلیسی مقاله ترجمه شده:1.2-V Supply, 100-nW, 1.09-V Bandgap and 0.7-V Supply, 52.5-nW, 0.55-V Subbandgap Reference Circuits for Nanowatt CMOS LSIs
سال انتشار مقالهنام ژورنالتعداد صفحات مقاله ترجمه شده
2013IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS,9
چکیده فارسی:این مقاله منبع بندگپ و مدارات sub-BGR برای LSIهای نانووات را نشان می‌دهد. مدارات شامل یک مدار جریان مرجع نانوآمپری، یک ترانزیستور دوقطبی و ژنراتورهای ولتاژ متناسب با دمای خالص می‌باشند. مدارات پیشنهادی از استفاده از مقاومت‌ها اجتناب کرده و شامل تنها MOSFET و یک ترانزیستور دوقطبی است. به دلیل اینکه مدار sub-BGR ولتاژ خروجی ترانزیستور دوقطبی را بدون استفاده از مقاومت تقسیم می‌کند، می‌تواند با منبع زیر 1ولت کار کند. نتایج تجربی به دست آمده در تکنولوژی CMOS 0.18 میکرومتر نشان می‌دهند که مدار BGRمی‌تواند ولتاژ مرجع 1.09ولت و مدار sub-BGR ولتاژ مرجع 0.548 را تولید کند. اتلاف توان مدارات BGR و sub-BGR به ترتیب 100 و 52.5 نانووات می‌باشد.
چکیده انگلیسی:This paper presents bandgap reference (BGR) and sub-BGR circuits for nanowatt LSIs. The circuits consist of a nano-ampere current reference circuit, a bipolar transistor, and proportional-to-absolute-temperature (PTAT) voltage generators. The proposed circuits avoid the use of resistors and contain only MOSFETs and one bipolar transistor. Because the sub-BGR circuit divides the output voltage of the bipolar transistor without resistors, it can operate at a sub-1-V supply. The experimental results obtained in the 0.18m CMOS process demonstrated that the BGR circuit could generate a reference voltage of 1.09 V and the sub-BGR circuit could generate one of 0.548 V. The power dissipations of the BGR and sub-BGR circuits corresponded to 100 and 52.5 nW.
کلمات کلیدی مقاله:
دانلود اصل مقاله ترجمه نشده افزودن به سبد خرید